中德智能制造产业协会（以下简称“协会”）与2021年3月3日走访会员单位北京国联万众半导体科技有限公司（以下简称“国联万众”），倾听会员心声后，了解到国联万众期望协会在产业对接方面给予协助和支持。经探讨，现针对国联万众的产品组织产业对接活动，面向协会的专家库，会员单位智汇工业220万多的精准工业数据库，推行SiC肖特基二极管在线免费试用活动。
碳化硅肖特基二极管结构
碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）的器件采用了结势垒肖特基二极管结构（JBS），可以有效降低反向漏电流，具备更好的耐高压能力。
碳化硅肖特基二极管优势
碳化硅肖特基二极管是一种单极型器件，因此相比于传统的硅快恢复二极管（Si FRD），碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。在器件从正向导通向反向阻断转换时，几乎没有反向恢复电流，反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A的碳化硅肖特基二极管的反向恢复时间在10ns以内。因此碳化硅肖特基二极管可以工作在更高的频率，在相同频率下具有更高的效率。另一个重要的特点是碳化硅肖特基二极管具有正的温度系数，随着温度的上升电阻也逐渐上升，这与硅FRD正好相反。这使得碳化硅肖特基二极管非常适合并联实用，增加了系统的安全性和可靠性。
概括碳化硅肖特基二极管的主要优势，有如下特点：
1. 几乎无开关损耗；
2. 更高的开关频率；
3. 更高的效率；
4. 更高的工作温度；
5. 正的温度系数，适合于并联工作；
6. 开关特性几乎与温度无关；
碳化硅肖特基二极管的应用
碳化硅肖特基二极管可广泛应用于开关电源、功率因素校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、光伏逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。在PFC电路中用碳化硅SBD取代原来的硅FRD，可使电路工作在300kHz以上，效率基本保持不变，而相比下使用硅FRD的电路在100kHz以上的效率急剧下降。随着工作频率的提高，电感等无源原件的体积相应下降，整个电路板的体积下降30%以上。
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